Τεχνική Παράμετρος Μονάδα Καρβίδιο Πυριτίου
Αντιδραστικής Συγκόλλησης
SiC
Συσσωματωμένο Καρβίδιο
Πυριτίου
SSiC
Καρβίδιο Πυριτίου
Αντιδραστικής Συγκόλλησης
με Γραφίτη
SiC+C
Συσσωματωμένο Καρβίδιο
Πυριτίου
με Γραφίτη
SSiC+C
Συσσωματωμένο Καρβίδιο
Πυριτίου
με Πόρους
QSSiC+C
Σκληρότητα HS 110 115 ≥ 105 ≥ 110 ≥ 100
Ποσοστό Πορώδους % < 0.3 < 0.2 < 0.5 < 0.5 < 5
Πυκνότητα g/cm³ 3.00-3.05 > 3.10 2.69-2.90 2.70-3.0 2.65
Αντοχή σε Συμπίεση MPa > 2200 > 2500 > 1400 > 1600 > 800
Αντοχή σε Θραύση MPa > 350 > 380 > 150 > 160 > 100
Συντελεστής Θερμικής Διαστολής 10⁻⁶/°C 4 4.2 3.5 3 2.5
Περιεκτικότητα σε SiC % ≥ 90 ≥ 98 ≥ 85 ≥ 92 ≥ 90
Ελεύθερο Si % ≤ 10 ≤ 1 ≤ 12 / /
Μέτρο Ελαστικότητας GPa ≥ 400 ≥ 410 ≥ 350 ≥ 360 ≥ 180
Θερμοκρασία °C 1300 1400 1300 1400 1400

ΜΠΟΡΕΙ ΕΠΙΣΗΣ ΝΑ ΣΑΣ ΕΝΔΙΑΦΕΡΟΥΝ

Όλα τα Προϊόντα

Επικοινωνία

Παρακαλούμε συμπληρώστε την παρακάτω φόρμα για να επικοινωνήσετε μαζί μας.
Το * υποδεικνύει υποχρεωτικά πεδία